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Wissen über chemische Reinigung und Sicherheit von Halbleitern

Anzahl Durchsuchen:657     Autor:Ruqinba     veröffentlichen Zeit: 2026-07-28      Herkunft:Powered

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1. Chemische Reinigung

Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen bezieht sich die chemische Reinigung auf die Entfernung verschiedener schädlicher Verunreinigungen oder Ölflecken, die auf den Oberflächen von Halbleitern, Metallmaterialien und Werkzeugen adsorbiert sind.

Der Prozess nutzt verschiedene chemische Reagenzien und organische Lösungsmittel, um mit Verunreinigungen zu reagieren oder diese aufzulösen. Dazu kommen häufig physikalische Maßnahmen wie Ultraschall, Erhitzen oder Vakuumieren, um die Desorption von Verunreinigungen zu erreichen. Abschließend werden die Oberflächen mit großen Mengen hochreinem heißem und kaltem entionisiertem Wasser gespült, um ein makelloses Finish zu erzielen.

1.1 Die Bedeutung der chemischen Reinigung

Die chemische Reinigung ist ein entscheidender Schritt in jedem Prozessexperiment. Die Qualität der Reinigung hat direkten Einfluss auf die Versuchsergebnisse; Eine unsachgemäße Behandlung kann zu fehlgeschlagenen oder minderwertigen Ergebnissen führen. Das Verständnis der Prinzipien der chemischen Reinigung ist für eine erfolgreiche Verfahrenstechnik von entscheidender Bedeutung.

Halbleiter sind äußerst empfindlich gegenüber Verunreinigungen. Selbst Spurenmengen (ein Teil pro Million oder weniger) können ihre physikalischen Eigenschaften drastisch verändern. Wir nutzen diese Empfindlichkeit durch kontrollierte Dotierung, um verschiedene Halbleiterbauelemente herzustellen. Diese Empfindlichkeit macht jedoch eine unbeabsichtigte Kontamination zu einer großen Hürde. Chemische Reagenzien, Produktionswerkzeuge und sogar Spülwasser können zu Kontaminationsquellen werden. Selbst ein sauberer Siliziumwafer zieht Verunreinigungen an, wenn er über einen längeren Zeitraum der Luft ausgesetzt wird. Es gibt eine chemische Reinigung, um diese Verunreinigungen zu beseitigen und die Oberflächenintegrität aufrechtzuerhalten.

1.2 Umfang der chemischen Reinigung

Die chemische Reinigung umfasst im Wesentlichen drei Bereiche:

  1. Reinigung der Waferoberfläche: Reinigung des Siliziumsubstrats selbst.

  2. Reinigung von Metallmaterialien: Reinigung von Metallen, die bei der Verdampfung verwendet werden, wie z. B. Wolframdrähte für Elektroden, Molybdänbleche für Pads, Aluminiumlegierungen für Quellen und Chrom für Maskenplatten.

  3. Werkzeug- und Gefäßreinigung: Reinigung von Metallpinzetten, Quarzrohren, Glaswaren, Graphitformen und Kunststoff-/Gummiprodukten.

1.3 Arten von Siliziumoberflächenverunreinigungen

(1) Adsorption molekularer Verunreinigungen

Zu den molekularen Verunreinigungen, die typischerweise auf Siliziumoberflächen adsorbiert werden, gehören natürliche oder synthetische Öle, Harze und Wachse. Diese werden häufig bei Schritten zur Substratvorbereitung wie Schneiden, Schleifen und Polieren eingeführt. Darüber hinaus fallen Öle von den Fingern des Bedieners, Fotolacke und Rückstände organischer Lösungsmittel in diese Kategorie.

Die molekulare Adsorption ist durch physikalische Anziehung gekennzeichnet, die häufig durch Van-der-Waals-Kräfte oder elektrostatische Anziehung aufrechterhalten wird. Da Öle und Harze im Allgemeinen unpolar sind, interagieren sie mit den Restkräften ungebundener Siliziumatome an der Oberfläche. Diese Kräfte sind relativ schwach und nehmen mit zunehmendem Abstand schnell ab (typischerweise wirksam innerhalb von 2–3 Å). Obwohl diese Verunreinigungen physikalisch leicht zu entfernen sind, sind sie größtenteils wasserunlöslich. Wenn sie adsorbiert werden, erzeugen sie eine hydrophobe Oberfläche, die verhindert, dass Reinigungslösungen (Säuren oder Basen) effektiv mit dem Wafer in Kontakt kommen und so den chemischen Reinigungsprozess behindern.

(2) Adsorption ionischer Verunreinigungen

Zu den üblichen ionischen Verunreinigungen gehören K+, Na+, Ga2+, Mg2+, Fe2+, H+, (OH)−, F−, Cl−, S2− und (CO3)2−. Diese stammen aus Luft, Werkzeugen, Geräten, chemischen Reagenzien, entionisiertem Wasser geringer Reinheit, ausgeatmeter Atem und Schweiß.

Die ionische Adsorption fällt unter die chemische Adsorption. Diese Ionen verbinden sich über chemische Bindungen mit der Siliziumoberfläche. Der Abstand zwischen den Verunreinigungsionen und den Oberflächenatomen ist so gering, dass sie effektiv Teil der Siliziumstruktur werden. Abhängig von ihrer Beschaffenheit können sie als Elektronenfallen (Akzeptoren) oder Lochfallen (Donatoren) wirken und die elektrische Leistung erheblich beeinträchtigen. Aufgrund der Stärke chemischer Bindungen ist die Entfernung ionischer Verunreinigungen deutlich schwieriger als die Entfernung molekularer.

(3) Adsorption atomarer Verunreinigungen

Unter atomaren Verunreinigungen versteht man in erster Linie Metallatome wie Gold, Silber, Kupfer, Eisen und Nickel. Diese werden häufig über saure Ätzlösungen eingebracht, wobei Metallionen durch Verdrängungsreaktionen zu Atomen reduziert und an der Oberfläche adsorbiert werden.

Die Atomadsorption ist am stärksten und am schwierigsten zu entfernen. Da Schwermetalle wie Gold und Platin nicht mit herkömmlichen Säuren oder Basen reagieren, müssen spezielle Reagenzien wie Königswasser verwendet werden. Diese Reagenzien bilden mit den Metallatomen lösliche Komplexe, die dann mit hochreinem entionisiertem Wasser abgespült werden können.

1.4 Allgemeines Verfahren zur Reinigung von Siliziumwafern

Basierend auf der obigen Analyse sind molekulare Verunreinigungen am einfachsten zu entfernen, können jedoch ionische und atomare Verunreinigungen „maskieren“. Daher müssen sie zuerst gelöscht werden.

Die allgemeine Reinigungssequenz ist:
Entfetten → Deionisierung → Desatomisierung → Spülung mit entionisiertem Wasser

Obwohl dies die Standardlogik ist, erfordert jedes Experiment einen flexiblen Ansatz. Da der Oberflächenzustand vor jedem Test variiert, müssen die Wahl der Chemikalien und der Schwerpunkt der Reinigung je nach spezifischen Anforderungen und gewünschten Ergebnissen angepasst werden.

1.5 Reinigung von gewöhnlichen Metallen und Gefäßen

Metallische Materialien und Werkzeuge, die in Experimenten verwendet werden, sind Hauptquellen für Kontaminationen. Um die Sauberkeit der Wafer zu gewährleisten, müssen Metalle und Gefäße sorgfältig behandelt werden. Das allgemeine Prinzip besteht darin, zuerst Fett zu entfernen, dann mit Säuren, Basen oder Königswasser zu ätzen oder zu reinigen und anschließend mit hochreinem entionisiertem Wasser abzuspülen.

2. Sicherheitswissen

Bei Halbleiterexperimenten kommen häufig gefährliche Chemikalien und Gase zum Einsatz, darunter brennbare, explosive, giftige und ätzende Substanzen. Der richtige Umgang ist wichtig, um Unfälle zu vermeiden. Bleiben Sie im Notfall ruhig und ergreifen Sie sofort Korrekturmaßnahmen.

2.1 Sichere Verwendung organischer Lösungsmittel

Zu den üblichen Lösungsmitteln gehören Toluol, Aceton, Ethanol, Methylethylketon, Trichlorethylen und Tetrachlorkohlenstoff.

  • Entflammbarkeit: Die meisten sind leicht entzündlich. An einem kühlen Ort fern von Zündquellen lagern.

  • Erhitzen: Erhitzen Sie niemals direkt auf einem Elektroherd. Verwenden Sie ein Wasserbad.

  • Brandbekämpfung: Bei kleinen Bränden feuchte Tücher oder Sand verwenden. Bei größeren Bränden CO2- oder Schaumlöscher verwenden. Verwenden Sie kein Wasser oder wasserbasierte Säure-Base-Feuerlöscher.

  • Toxizität: Diese Lösungsmittel sind flüchtig und giftig. Arbeiten Sie immer unter einem Abzug und sorgen Sie für eine gute Belüftung.

2.2 Sicherer Umgang mit Säuren und Basen

Zu den üblichen Reagenzien gehören starke Säuren (Schwefelsäure, Salpetersäure, Salzsäure, Flusssäure und Königswasser) und starke Basen (Natriumhydroxid, Kaliumhydroxid). Diese wirken stark ätzend auf menschliches Gewebe und Kleidung.

  1. Sorgen Sie in Bereichen mit Säure-/Laugendämpfen für eine gute Belüftung.

  2. Tragen Sie geeignete Schutzkleidung (Gummihandschuhe, Masken usw.).

  3. Strenges Verbot: Benutzen Sie niemals Ihren Mund, um Flüssigkeit in eine Pipette zu ziehen; Verwenden Sie einen Gummiball.

  4. Behandeln Sie Flaschen vorsichtig, um ein Umkippen oder Zerbrechen zu vermeiden. Richten Sie die Flaschenöffnungen beim Öffnen von Personen weg.

  5. Verdünnungsregel: Säure immer langsam ins Wasser gießen; Gießen Sie niemals Wasser in konzentrierte Säure.

  6. Konzentrierte Säuren oder Basen neutralisieren Sie, indem Sie sie zunächst mit Wasser verdünnen, bevor Sie das Neutralisationsmittel hinzufügen.

  7. Behälter nach Gebrauch gründlich ausspülen. Bei Verätzungen sofort mit viel Wasser abspülen. Wenn Spritzer in die Augen gelangen, spülen Sie sie mit Leitungswasser aus und suchen Sie sofort einen Arzt auf.

2.3 Sicherer Umgang mit Gasen

Die Gasversorgung erfolgt über Flaschen oder Rohrleitungen. Mischgase können brennbar oder explosiv sein.

  • Identifizierung: Die Zylinder sind zur Identifizierung farblich gekennzeichnet und beschriftet.

  • Druck: Neue Flaschen haben einen hohen Druck (ca. 150 kg/cm²).

  • Lagerung: Zylinder im Sommer vor direkter Sonneneinstrahlung schützen. Von brennbaren Materialien und offenen Flammen fernhalten.

  • Trennung: Reaktive Gase (z. B. Wasserstoff und Sauerstoff) müssen in getrennten Räumen gelagert werden, um eine versehentliche Vermischung zu verhindern.

  • Restdruck: Eine Flasche niemals vollständig entleeren; Lassen Sie immer eine kleine Restgasmenge zurück.

  • Verschmutzung: Flaschenventile und Schraubenschlüssel frei von Fett und Öl halten.

  • Wasserstoffsicherheit: Spülen Sie das System vor der Verwendung mit Inertgas und prüfen Sie es auf Undichtigkeiten. Es müssen Flammenrückschlagsicherungen installiert werden.

2.4 Sicherer Umgang mit giftigen Substanzen

Um Vergiftungen bei Verwendung giftiger Reagenzien vorzubeugen:

  1. Alle Arbeiten müssen unter einem Abzug durchgeführt werden. Restflüssigkeiten müssen an dafür vorgesehenen Sicherheitsstellen entsorgt werden.

  2. Bediener müssen Masken und Handschuhe tragen. Vermeiden Sie Hautkontakt oder Verschlucken.

  3. Waschen Sie die Handschuhe gründlich mit Wasser, bevor Sie sie nach dem Experiment ausziehen.

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